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文献
J-GLOBAL ID：200902284836296591
整理番号：05A0657841
自己形成InNナノ構造の電界放出性質:Ga取込みの効果
Field emission properties of self-assembled InN nano-structures: Effect of Ga incorporation
SHIH C.f.
(Dep. of Material Sci. and Engineering, National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, Taiwan, Republic of China)
,
CHEN N.c.
(Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., 259 Wen-Hwa 1st Road, Tao-Yuan, Taiwan, Republic of China)
,
CHANG P.h.
(Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., 259 Wen-Hwa 1st Road, Tao-Yuan, Taiwan, Republic of China)
,
LIU K.s.
(Dep. of Material Sci. and Engineering, National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, Taiwan, Republic of China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 281 号： 2-4 ページ： 328-333 発行年： 2005年08月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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