文献
J-GLOBAL ID:200902285112991740
整理番号:06A0147808
原子論的カイネティックモンテカルロシミュレーションによるSi/SiO2界面におけるほう素とひ素の線量損失と分離
Dose loss and segregation of boron and arsenic at the Si/SiO2 interface by atomistic kinetic Monte Carlo simulations
著者 (7件):
RUBIO J.E.
(Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
,
JARAIZ M.
(Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
,
MARTIN-BRAGADO I.
(Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
,
MARTIN-BRAGADO I.
(Synopsys, Aschheim/Dornach, DEU)
,
CASTRILLO P.
(Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
,
PINACHO R.
(Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
,
BARBOLLA J.
(Univ. Valladolid, Valladolid, ESP)
資料名:
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻:
124-125
ページ:
392-396
発行年:
2005年12月05日
JST資料番号:
T0553A
ISSN:
0921-5107
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)