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文献
J-GLOBAL ID：200902285259831551
整理番号：09A0383071
Si(110)基板上に成長した3C-SiC(111)薄膜上のグラフェン形成
Graphene Formation on a 3C-SiC(111) Thin Film Grown on Si(110) Substrate
SUEMITSU Maki
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN)
,
SUEMITSU Maki
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN)
,
MIYAMOTO Yu
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN)
,
HANDA Hiroyuki
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN)
,
KONNO Atsushi
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN)
資料名：
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)
(e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 7 ページ： 311-313 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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