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文献
J-GLOBAL ID：200902285316034825
整理番号：05A0581452
四元InAlGaN系高効率紫外発光ダイオード
Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes
HIRAYAMA Hideki
(Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Saitama, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 97 号： 9 ページ： 091101.1-091101.19 発行年： 2005年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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