文献
J-GLOBAL ID:200902285390745245
整理番号:05A0825749
伝導性原子間力顕微鏡観察によるSi(001)上のGe量子ドットの横方向組成研究
Studying the lateral composition in Ge quantum dots on Si(001) by conductive atomic force microscopy
著者 (6件):
XUE F.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
QIN J.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
CUI J.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
FAN Y.l.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
JIANG Z.m.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
,
YANG X.j.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
592
号:
1-3
ページ:
65-71
発行年:
2005年11月01日
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)