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文献
J-GLOBAL ID:200902285390745245   整理番号:05A0825749

伝導性原子間力顕微鏡観察によるSi(001)上のGe量子ドットの横方向組成研究

Studying the lateral composition in Ge quantum dots on Si(001) by conductive atomic force microscopy
著者 (6件):
XUE F.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
QIN J.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
CUI J.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
FAN Y.l.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
JIANG Z.m.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
YANG X.j.
(Surface Physics Lab. (National Key Laboratory), Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)

資料名:
Surface Science  (Surface Science)

巻: 592  号: 1-3  ページ: 65-71  発行年: 2005年11月01日 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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