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文献
J-GLOBAL ID：200902285416917686
整理番号：05A0626031
ふっ化物ベースプラズマ処理を用いた高性能エンハンスメントモードAlGaN/GaN HEMT
High-Performance Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs Using Fluoride-Based Plasma Treatment
CAI Yong
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
,
ZHOU Yugang
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
,
CHEN Kevin J
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
,
LAU Kei May
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Kowloon, HKG)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 26 号： 7 ページ： 435-437 発行年： 2005年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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