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文献
J-GLOBAL ID：200902285514374402
整理番号：05A0365396
光化学蒸着SiO2層を有するAlGaN/GaN MOS-HFETの高温特性と高周波特性
High temperature and high frequency characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with photochemical vapor deposition SiO2 layer
WANG C.K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHUANG R.W.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG S.J.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Y.K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WEI S.C.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN T.K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
KO T.K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHIOU Y.Z.
(Souther Taiwan Univ. Technol., Tainan, TWN)
,
TANG J.J.
(Souther Taiwan Univ. Technol., Tainan, TWN)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B119 号： 1 ページ： 25-28 発行年： 2005年05月15日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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