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文献
J-GLOBAL ID：200902285532920902
整理番号：08A1101698
1019cm-3以上の非常に高い正孔濃度を持つGaNの金属変調エピタキシャル成長
Metal modulation epitaxy growth for extremely high hole concentrations above 1019 cm-3 in GaN
NAMKOONG Gon
(Applied Res. Center, Old Dominion Univ., Newport News, Virginia 23606, USA)
,
TRYBUS Elaissa
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
LEE Kyung Keun
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
MOSELEY Michael
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
DOOLITTLE W. Alan
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
LOOK David C.
(Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 17 ページ： 172112 発行年： 2008年10月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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