文献
J-GLOBAL ID:200902285581149901
整理番号:06A0101666
薄い非晶質シリコンのNi媒介結晶化による(100)配向多結晶Si膜の成長
Growth of (100)-Oriented Polycrystalline Si Film by Ni-Mediated Crystallization of Thin Amorphous Silicon
著者 (7件):
OH Jae Hwan
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Kyung Ho
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Eun Hyun
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Sang Kyu
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
JANG Jin
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KANG Jun Yun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
OH Kyu Hwan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
153
号:
1
ページ:
G12-G15
発行年:
2006年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)