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文献
J-GLOBAL ID：200902285582781580
整理番号：04A0558735
極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術:SBSI-SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性-
Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Advanced CMOS LSIs-A Study on Selective Etching of SiGe Layers for SBSI Process-
YAMAZAKI T
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
OHMI S
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
MORITA S
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
OHRI H
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
MUROTA J
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
,
SAKURABA M
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
,
OMI H
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
SAKAI T
(Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104 号： 152(ED2004 48-72) ページ： 13-16 発行年： 2004年06月30日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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