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文献
J-GLOBAL ID：200902285664887440
整理番号：07A0319764
高移動度In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As変調ドープ電界効果トランジスタ構造の表面におけるFermiエネルギーピン止め
Fermi energy pinning at the surface of high mobility In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As modulation doped field effect transistor structures
SKURAS E.
(Dep. of Materials Engineering, Univ. of Ioannina, Ioannina 45 110, GRC)
,
STANLEY C. R.
(Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Oakfield Avenue, Univ. of Glasgow, Glasgow, G12 8LT, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 13 ページ： 133506-133506-3 発行年： 2007年03月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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