文献
J-GLOBAL ID:200902285681614792
整理番号:05A0496432
n型非晶質SiGe:H/p型結晶質Siヘテロ接合ダイオードの伝導機構に及ぼすa-SiGe:H厚の影響
Influence of the a-SiGe:H thickness on the conduction mechanisms of n-amorphous-SiGe:H/p-crystalline-Si heterojunction diodes
著者 (7件):
ROSALES-QUINTERO P.
(Instituto Nacional de Astrofisica Optica y Electronica (INAOE), Puebla, MEX)
,
TORRES-JACOME A.
(Instituto Nacional de Astrofisica Optica y Electronica (INAOE), Puebla, MEX)
,
MURPHY-ARTEAGA R.
(Instituto Nacional de Astrofisica Optica y Electronica (INAOE), Puebla, MEX)
,
DE LA HIDALGA WADE F. J.
(Instituto Nacional de Astrofisica Optica y Electronica (INAOE), Puebla, MEX)
,
MARSAL L. F.
(Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
,
CABRE R.
(Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
,
PALLARES J.
(Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
8
ページ:
083710.1-083710.8
発行年:
2005年04月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)