文献
J-GLOBAL ID:200902285912050072
整理番号:04A0076487
カーボンナノチューブ成長における二酸化シリコンの厚さ依存性
Silicon oxide thickness-dependent growth of carbon nanotubes
著者 (5件):
CAO A
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
AJAYAN P M
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
RAMANATH G
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
BASKARAN R
(Univ. California, California)
,
TURNER K
(Univ. California, California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
84
号:
1
ページ:
109-111
発行年:
2004年01月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)