文献
J-GLOBAL ID:200902285921281117
整理番号:05A1011330
AlNバッファ層付きLiNbO3(0001)ステップ基板上のGaNヘテロエピタキシャル成長
GaN heteroepitaxial growth on LiNbO3(0001) step substrates with AlN buffer layers
著者 (7件):
TSUCHIYA Yousuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI Atsushi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OHTA Jitsuo
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OHTA Jitsuo
(Kanagawa Acad. Sci. and Technol., Kanagawa, JPN)
,
FUJIOKA Hiroshi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
FUJIOKA Hiroshi
(Kanagawa Acad. Sci. and Technol., Kanagawa, JPN)
,
OSHIMA Masaharu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
202
号:
13
ページ:
R145-R147
発行年:
2005年10月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)