文献
J-GLOBAL ID:200902285944178704
整理番号:06A0043629
TaNをメタルゲート電極とするHfO2高誘電率ゲート絶縁膜の定電圧ストレス下における電気的信頼性の様相
Electrical reliability aspects of HfO2 high-k gate dielectrics with TaN metal gate electrodes under constant voltage stress
著者 (5件):
CHATTERJEE S.
(Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., MS 3122, Texas A&M Univ., Coll. Station, TX 77843-3122, USA)
,
KUO Y.
(Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., MS 3122, Texas A&M Univ., Coll. Station, TX 77843-3122, USA)
,
LU J.
(Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., MS 3122, Texas A&M Univ., Coll. Station, TX 77843-3122, USA)
,
TEWG J.-y.
(Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., MS 3122, Texas A&M Univ., Coll. Station, TX 77843-3122, USA)
,
MAJHI P.
(International SEMATECH, 2706 Montopolis Drive, Austin TX 78741, USA)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
46
号:
1
ページ:
69-76
発行年:
2006年01月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)