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文献
J-GLOBAL ID：200902286009913400
整理番号：09A0163892
無線設備応用のための48V GaN HFET素子技術の特性化および熱解析
Characterization and Thermal Analysis of a 48V GaN HFET Device Technology for Wireless Infrastructure Applications
GREEN B. M.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
HENRY H.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
SELBEE J.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
CLAYTON F.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
MOORE K.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
CDEBACA M.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
ABDOU J.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
LIU C-L.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
HARTIN O.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
HILL D.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
MILLER M.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
,
WEITZEL C. E.
(Freescale Semiconductor, Inc., Arizona)
資料名：
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2008 Vol.3 ページ： 912-915 発行年： 2008年
JST資料番号： A0636A ISSN： 0149-645X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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