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文献
J-GLOBAL ID:200902286154963165   整理番号:06A0054670

フローティングボディセル(FBC)を使った128Mb,SOI・DRAMの設計

Design of a 128-Mb SOI DRAM Using the Floating Body Cell (FBC)
著者 (13件):
OHSAWA Takashi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
FUJITA Katsuyuki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
HATSUDA Kosuke
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
HIGASHI Tomoki
(Toshiba Microelectronics Corp., Kanagawa, JPN)
SHINO Tomoaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
MINAMI Yoshihiro
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
NAKAJIMA Hiroomi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
MORIKADO Mutsuo
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
INOH Kazumi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
HAMAMOTO Takeshi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
WATANABE Shigeyoshi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
FUJII Shuso
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
FURUYAMA Tohru
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)

資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻: 41  号:ページ: 135-145  発行年: 2006年01月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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