文献
J-GLOBAL ID:200902286154963165
整理番号:06A0054670
フローティングボディセル(FBC)を使った128Mb,SOI・DRAMの設計
Design of a 128-Mb SOI DRAM Using the Floating Body Cell (FBC)
著者 (13件):
OHSAWA Takashi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
FUJITA Katsuyuki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
HATSUDA Kosuke
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
HIGASHI Tomoki
(Toshiba Microelectronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHINO Tomoaki
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
MINAMI Yoshihiro
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
NAKAJIMA Hiroomi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
MORIKADO Mutsuo
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
INOH Kazumi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
HAMAMOTO Takeshi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
WATANABE Shigeyoshi
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
FUJII Shuso
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
,
FURUYAMA Tohru
(Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
41
号:
1
ページ:
135-145
発行年:
2006年01月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)