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文献
J-GLOBAL ID：200902286194673640
整理番号：06A0037179
サファイア基板上のAlGaN/GaN-ショートゲート高電子移動度トランジスターのDCおよびRF特性に対するエピタキシャル層の結晶性の効果
Effect of Epitaxial Layer Crystal Quality on DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN Short-Gate High-Electron-Mobility Transistors on Sapphire Substrates
SHIOJIMA Kenji
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
MAKIMURA Takashi
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
SUEMITSU Tetsuya
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 12 ページ： 8435-8440 発行年： 2005年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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