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文献
J-GLOBAL ID：200902286232501734
整理番号：06A0281482
高速SiGe HBT/BiCMOS用の促進エミッタ拡散プロセスと垂直プロファイルの最適化
Promoting Emitter Diffusion Process and Optimization of Vertical Profiles for High-Speed SiGe HBT/BiCMOS
MIURA Makoto
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SHIMAMOTO Hiromi
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HAYAMI Reiko
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KODAMA Akihiro
(Renesas Northern Japan Semiconductor, Inc., Hokkaido, JPN)
,
TOMINARI Tatsuya
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HASHIMOTO Takashi
(Renesas Northern Japan Semiconductor, Inc., Hokkaido, JPN)
,
WASHIO Katsuyoshi
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53 号： 4 ページ： 857-865 発行年： 2006年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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