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文献
J-GLOBAL ID：200902286432990578
整理番号：04A0342952
Si(111)基板上に作製した3C-SiC薄膜のダブルポジショニングバウンダリーの低減
楠森毅
(産総研 中部セ)
,
武藤八三
(産総研 中部セ)
,
岡田昌久
(産総研 中部セ)
,
JIN P
(産総研 中部セ)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st 号： 1 ページ： 425 発行年： 2004年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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