文献
J-GLOBAL ID:200902286539609214
整理番号:05A0656420
高スイッチング・アイソレーションのためのPZT/HfO2多層高k誘電体を使った広帯域MEMSシャントスイッチ
Broadband MEMS shunt switches using PZT/HfO2 multi-layered high k dielectrics for high switching isolation
著者 (7件):
TSAUR Jiunnjye
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-2-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-8564, JPN)
,
ONODERA Kazumasa
(Netspace Inc., 1223 Yamazaki Machida, Tokyo 195-0074, JPN)
,
KOBAYASHI Takeshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-2-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-8564, JPN)
,
WANG Zhang-jie
(Dep. of Materials Processing, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aoba-yama 02, Sendai 980-8579, JPN)
,
HEISIG Sven
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-2-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-8564, JPN)
,
MAEDA Ryutaro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-2-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-8564, JPN)
,
SUGA Tadatomo
(Dep. of Precision Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Univ., 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻:
121
号:
1
ページ:
275-281
発行年:
2005年05月31日
JST資料番号:
B0345C
ISSN:
0924-4247
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)