文献
J-GLOBAL ID:200902286914926060
整理番号:03A0506386
EUV顕微鏡を用いた完成極端紫外光リソグラフィ(EUVL)マスクの評価
Evaluation of Finished Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL) Masks Using a EUV Microscope
著者 (8件):
HAGA T
(NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN)
,
KINOSHITA H
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
,
HAMAMOTO K
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
,
TAKADA S
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
,
KAZUI N
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
,
KAKUNAI S
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
,
TSUBAKINO H
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
,
WATANABE T
(Himeji Inst. of Technol., Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
6B
ページ:
3771-3775
発行年:
2003年06月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)