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文献
J-GLOBAL ID：200902287103386500
整理番号：06A0116306
InN上の分子ビームエピタクシー成長六方晶InGaNエピ層中の立方相の生成
Generation of Cubic Phase in Molecular-Beam-Epitaxy-Grown Hexagonal InGaN Epilayers on InN
KITAMURA Toshio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KITAMURA Toshio
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
SHEN Xu-Qiang
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHEN Xu-Qiang
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SUGIYAMA Mutsumi
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
NAKANISHI Hisayuki
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 1A ページ： 57-60 発行年： 2006年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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