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文献
J-GLOBAL ID：200902287253031505
整理番号：07A1233105
N面成長を利用した窒化物を基本とする高電子移動度トランジスターに関する固有抵抗の低いナノ合金Ohm性コンタクト
Low nonalloyed Ohmic contact resistance to nitride high electron mobility transistors using N-face growth
WONG Man Hoi
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
PEI Yi
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
PALACIOS Tomas
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
SHEN Likun
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
CHAKRABORTY Arpan
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
MCCARTHY Lee S.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
KELLER Stacia
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
DENBAARS Steven P.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
SPECK James S.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering and Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106 ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 23 ページ： 232103-232103-3 発行年： 2007年12月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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