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文献

J-GLOBAL ID：200902287536376576 整理番号：09A1282950

Si(100)および(111)基板に急速蒸着させたAl薄膜の配向成長

Preferentially Oriented Growth of Al Thin Films Deposited Rapidly on Si (100) and (111) Substrates

著者 (5件)：

菅原茂夫

(秋田大学工学資源学部材料工学科)

高橋久夫

(秋田大学工学資源学部材料工学科)

石垣正利

(秋田大学工学資源学部材料工学科)

後藤大輔

(秋田大学工学資源学部材料工学科)

小森大輔

(秋田大学工学資源学部材料工学科)

資料名：

日本金属学会誌 (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)

巻： 73 号： 12 ページ： 906-912 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： G0023A ISSN： 0021-4876 CODEN： NIKGAV 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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