文献
J-GLOBAL ID:200902287736295953
整理番号:06A0716226
Cat-CVD・SiNを使ったAlN/GaN絶縁ゲートHFET
AlN/GaN Insulated-Gate HFETs Using Cat-CVD SiN
著者 (3件):
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
27
号:
9
ページ:
719-721
発行年:
2006年09月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)