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文献
J-GLOBAL ID：200902287768997348
整理番号：07A1225501
遷移金属炭化物(111)表面上のGaNのプラズマ支援分子ビームエピタクシー
Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of GaN on transition-metal carbide (111) surfaces
AIZAWA Takashi
(Advanced Nano Materials Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
HISHITA Shunichi
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
OTANI Shigeki
(Advanced Nano Materials Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 310 号： 1 ページ： 22-25 発行年： 2008年01月04日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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