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文献
J-GLOBAL ID：200902287999580059
整理番号：08A0575254
β-Ga2O3の電気伝導度とSiのドーピングによるキャリヤ濃度の制御
Electrical conductivity and carrier concentration control in β-Ga2O3 by Si doping
VILLORA Encarnacion G.
(National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
SHIMAMURA Kiyoshi
(National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
YOSHIKAWA Yukio
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN)
,
UJIIE Takekazu
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN)
,
AOKI Kazuo
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 20 ページ： 202120 発行年： 2008年05月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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