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J-GLOBAL ID：200902288039223614 整理番号：04A0843247

p型4H-SiCへの三元Ge/Ti/Al Ohm接触の電気特性と微細構造

Electrical properties and microstructure of ternary Ge/Ti/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC

著者 (3件)：

TSUKIMOTO S

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

SAKAI T

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

MURAKAMI M

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 96 号： 9 ページ： 4976-4981 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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