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文献
J-GLOBAL ID：200902288068331965
整理番号：06A0195751
Hf/Al組成比を調整して得られたHfAlOx(N)を有する相補型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける対称なしきい値電圧
Symmetrical threshold voltage in complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfAlOx(N) achieved by adjusting Hf/Al compositional ratio
KADOSHIMA Masaru
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
OGAWA Arito
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center (ASRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...)
,
IWAMOTO Kunihiko
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
TAKAHASHI Masashi
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
MISE Nobuyuki
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
MIGITA Shinji
(MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center (ASRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...)
,
IKEDA Minoru
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
SATAKE Hideki
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
NABATAME Toshihide
(MIRAI, Assoc. of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET), Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
TORIUMI Akira
(MIRAI, Advanced Semiconductor Res. Center (ASRC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 99 号： 5 ページ： 054506-054506-6 発行年： 2006年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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