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文献
J-GLOBAL ID：200902288148920236
整理番号：09A0214448
C面4H-SiC MOS構造中のNO直接酸化で生成された界面近傍捕獲中心の研究
Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures
OKAMOTO Dai
(Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
YANO Hiroshi
(Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
OSHIRO Yuki
(Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
HATAYAMA Tomoaki
(Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
URAOKA Yukiharu
(Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
FUYUKI Takashi
(Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 2 ページ： 021201.1-021201.3 発行年： 2009年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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