文献
J-GLOBAL ID:200902288154320232
整理番号:05A0436326
MOCVD成長による波長1.3μmのInGaAsN-GaAsP-GaAs構造のQWレーザにおけるキャリア寿命測定から求めた単分子再結合の増加
Increased Monomolecular Recombination in MOCVD Grown 1.3-μm InGaAsN-GaAsP-GaAs QW Lasers From Carrier Lifetime Measurements
著者 (6件):
ANTON O
(Colorado State Univ., CO, USA)
,
MENONI C S
(Colorado State Univ., CO, USA)
,
YEH J Y
(Univ. Wisconsin, WI, USA)
,
MAWST L J
(Univ. Wisconsin, WI, USA)
,
PIKAL J M
(Univ. Wyoming, WY, USA)
,
TANSU N
(Lehigh Univ., PA, USA)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
17
号:
5
ページ:
953-955
発行年:
2005年05月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)