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文献
J-GLOBAL ID:200902288154320232   整理番号:05A0436326

MOCVD成長による波長1.3μmのInGaAsN-GaAsP-GaAs構造のQWレーザにおけるキャリア寿命測定から求めた単分子再結合の増加

Increased Monomolecular Recombination in MOCVD Grown 1.3-μm InGaAsN-GaAsP-GaAs QW Lasers From Carrier Lifetime Measurements
著者 (6件):
ANTON O
(Colorado State Univ., CO, USA)
MENONI C S
(Colorado State Univ., CO, USA)
YEH J Y
(Univ. Wisconsin, WI, USA)
MAWST L J
(Univ. Wisconsin, WI, USA)
PIKAL J M
(Univ. Wyoming, WY, USA)
TANSU N
(Lehigh Univ., PA, USA)

資料名:
IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)

巻: 17  号:ページ: 953-955  発行年: 2005年05月 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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