文献
J-GLOBAL ID:200902288252434505
整理番号:05A0013127
超薄ボデイMOSFETおよびFinFET用のモリブデンゲート技術
Molybdenum Gate Technology for Ultrathin-Body MOSFETs and FinFETs
著者 (4件):
HA D
(Univ. California, CA, USA)
,
TAKEUCHI H
(Univ. California, CA, USA)
,
CHOI Y-K
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
,
KING T-J
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
51
号:
12
ページ:
1989-1996
発行年:
2004年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)