文献
J-GLOBAL ID:200902288256442774
整理番号:03A0506436
自己形成した単分子層の領域選択成膜のためのCo接触マスクによるSiO2薄膜のシンクロトロン放射刺激エッチング
Synchrotron Radiation Stimulated Etching of SiO2 Thin Films with a Co Contact Mask for the Area-Selective Deposition of Self-Assembled Monolayer
著者 (2件):
WANG C
(Inst. for Molecular Sci., Okazaki, JPN)
,
URISU T
(Inst. for Molecular Sci., Okazaki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
6B
ページ:
4016-4019
発行年:
2003年06月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)