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文献
J-GLOBAL ID：200902288300364972
整理番号：07A0117524
AlGaN/GaN HEMTとGaN MESFETデバイスにおける表面準位効果の数値2Dシミュレーション
Numerical 2D Simulation of surface states effects in AlGaN/GaN HEMT and GaN MESFET devices
TIRADO J. M.
,
SANCHEZ DE ROJAS J. L.
,
IZPURA J. I.
資料名：
2005 5th IEEE Conference on Nanotechnology, Vol.2
(2005 5th IEEE Conference on Nanotechnology, Vol.2)
ページ： 531-532 発行年： 2005年
JST資料番号： K20050120 ISBN： 0-7803-9199-3 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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