文献
J-GLOBAL ID:200902288325770525
整理番号:03A0587611
MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の低温成長と特性の改善
Low temperature growth of Pb(Zr,Ti)O3 thin films by MOCVD and improvements in their properties
著者 (4件):
岡庭守
(姫路工大 大学院工学研究科)
,
藤沢浩訓
(姫路工大 大学院工学研究科)
,
清水勝
(姫路工大 大学院工学研究科)
,
丹生博彦
(姫路工大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
103
号:
167(US2003 23-34)
ページ:
1-6
発行年:
2003年07月04日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)