前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902288363379651
整理番号：05A0696955
多結晶Si電極とHfO2/Siゲート絶縁体界面での超高真空中アニールによる化学反応
Chemical reaction at the interface between polycrystalline Si electrodes and HfO2/Si gate dielectrics by annealing in ultrahigh vacuum
TAKAHASHI H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TOYODA S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OKABAYASHI J.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KUMIGASHIRA H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OSHIMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGITA Y.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
LIU G. L.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
LIU Z.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
USUDA K.
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 1 ページ： 012903.1-012903.3 発行年： 2005年07月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。