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文献
J-GLOBAL ID：200902288392864305
整理番号：03A0707957
NiOを酸素源として用いる化学蒸気浸透法によるYSZ薄膜の作製
Fabrication of YSZ Thin Films by Chemical Vapor Infiltration Using NiO as Oxygen Source
KIKUCHI K
(Univ. Shiga Prefecture, Shiga, JPN)
,
OKAYA T
(Univ. Shiga Prefecture, Shiga, JPN)
,
HIROSE W
(Univ. Shiga Prefecture, Shiga, JPN)
,
MATSUO K
(Univ. Shiga Prefecture, Shiga, JPN)
,
MINESHIGE A
(Himeji Inst. Technol., Hyogo, JPN)
,
OGUMI Z
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 150 号： 10 ページ： C688-C692 発行年： 2003年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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