前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902288460239864
整理番号：04A0503868
SiC基板上に試作した高出力二重ゲートAlGaN/GaN HEMTミキサ
High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates
SHIOJIMA K
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
MAKIMURA T
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOSUGI T
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
SUGITANI S
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA N
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 40 号： 12 ページ： 775-776 発行年： 2004年06月10日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。