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文献
J-GLOBAL ID：200902288488507732
整理番号：09A0208513
Auソース/ドレーン電極を有するポリ(ビニルアルコール)で被覆したTa2O5ゲート誘電体上に作ったペンタセン電界効果トランジスタの両極性動作の起源
Origin of the ambipolar operation of a pentacene field-effect transistor fabricated on a poly(vinyl alcohol)-coated Ta2O5 gate dielectric with Au source/drain electrodes
TAKEBAYASHI Satoko
(Dep. of Chemistry, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
,
ABE Shigeomi
(Dep. of Chemistry, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
,
SAIKI Koichiro
(Dep. of Complexity Sci. and Engineering, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8561, JPN)
,
UENO Keiji
(Dep. of Chemistry, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 8 ページ： 083305 発行年： 2009年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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