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文献
J-GLOBAL ID：200902288516746047
整理番号：09A0646154
SeleteにおけるEUVレジストの開発
Development of EUV resists at Selete
OIZUMI Hiroaki
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN)
,
KAWAMURA Daisuke
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN)
,
KANEYAMA Koji
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI Shinji
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN)
,
ITANI Toshiro
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki, JPN)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 7273 号： Pt.1 ページ： 72731M.1-72731M.8 発行年： 2009年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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