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文献
J-GLOBAL ID：200902288655185742
整理番号：03A0626998
単結晶CVDダイヤモンド層を用いた高電場用横方向p-i-p構造の作製と性質
Fabrication and properties of lateral p-i-p structures using single-crystalline CVD diamond layers for high electric field applications
IRIE M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ENDO S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WANG C L
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ITO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 12 号： 9 ページ： 1563-1568 発行年： 2003年09月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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