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文献
J-GLOBAL ID：200902288841338222
整理番号：04A0076551
高誘電率ゲート絶縁体を有するポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタ
Poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors with high dielectric constant gate insulator
WANG G
(Univ. California, California)
,
MOSES D
(Univ. California, California)
,
HEEGER A J
(Univ. California, California)
,
ZHANG H-M
(Symmorphix, Inc., California)
,
NARASIMHAN M
(Symmorphix, Inc., California)
,
DEMARAY R E
(Symmorphix, Inc., California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 95 号： 1 ページ： 316-322 発行年： 2004年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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