文献
J-GLOBAL ID:200902289062830940
整理番号:09A0518010
モノリシック集積化AlGaN/GaN横形電界効果型整流器と常時オフ型HEMTを用いたシングルチップ昇圧変換器
Single-Chip Boost Converter Using Monolithically Integrated AlGaN/GaN Lateral Field-Effect Rectifier and Normally Off HEMT
著者 (4件):
CHEN Wanjun
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
CHEN Wanjun
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
WONG King-Yuen
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
CHEN Kevin J.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
30
号:
5
ページ:
430-432
発行年:
2009年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)