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文献
J-GLOBAL ID：200902289108612152
整理番号：09A1100190
Cu(Ti)/low-κ試料における自己形成Tiリッチ界面層成長のラザフォード後方散乱分光計分析
Rutherford Backscattering Spectrometry Analysis of Self-Formed Ti-Rich Interface Layer Growth in Cu(Ti)/Low-k Samples
KOHAMA Kazuyuki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ITO Kazuhiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MORI Kenichi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEKAWA Kazuyoshi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIRAI Yasuharu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MURAKAMI Masanori
(Ritsumeikan Trust, Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 38 号： 9 ページ： 1913-1920 発行年： 2009年09月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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