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文献
J-GLOBAL ID：200902289161548393
整理番号：04A0849158
エピタキシャルダイヤモンド層を用いるソース-ドレインギャップがサブミクロンのp-i-p電界効果トランジスタの作製
Fabrication of a submicron source-drain gap for p-i-p field effect transistors using epitaxial diamond layers
KAWAKAMI N
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
YOKOTA Y
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
TACHIBANA T
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
HAYASHI K
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
INOUE K
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
KOBASHI K
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 13 号： 11/12 ページ： 1939-1943 発行年： 2004年11月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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