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文献
J-GLOBAL ID：200902289189117495
整理番号：09A0450908
イオン性液体の電気2重層によるゲートを有するZnO電界効果トランジスタ中の高密度のキャリア蓄積
High-Density Carrier Accumulation in ZnO Field-Effect Transistors Gated by Electric Double Layers of Ionic Liquids
YUAN Hongtao
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YUAN Hongtao
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
,
SHIMOTANI Hidekazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMOTANI Hidekazu
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
,
TSUKAZAKI Atsushi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHTOMO Akira
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KAWASAKI Masashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KAWASAKI Masashi
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
,
IWASA Yoshihiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IWASA Yoshihiro
(JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 19 号： 7 ページ： 1046-1053 発行年： 2009年04月09日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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