文献
J-GLOBAL ID:200902289206373131
整理番号:05A1022842
有機金属気相エピタクシーによるr面サファイア上a面GaN成長の形態学的特性
Morphological Characteristics of a-Plane GaN Grown on r-Plane Sapphire by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy
著者 (3件):
KUSAKABE Kazuhide
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
OHKAWA Kazuhiro
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
OHKAWA Kazuhiro
(JST-ERATO, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
11
ページ:
7931-7933
発行年:
2005年11月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)