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文献
J-GLOBAL ID：200902289217700118
整理番号：08A0548927
AlGaN/GaNから成るヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるGaNバッファ層のオフ状態における絶縁破壊特性に及ぼす貫通転位によって形成されるトラップの効果
Effects of Traps Formed by Threading Dislocations on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
HINOKI Akihiro
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
KIKAWA Junjiroh
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN)
,
YAMADA Tomoyuki
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN)
,
TSUCHIYA Tadayoshi
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN)
,
KAMIYA Shinichi
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN)
,
KUROUCHI Masahito
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN)
,
KOSAKA Kenichi
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
ARAKI Tsutomu
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
SUZUKI Akira
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Shiga, JPN)
,
SUZUKI Akira
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NANISHI Yasushi
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 1 号： 1 ページ： 011103.1-011103.3 発行年： 2008年01月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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