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文献
J-GLOBAL ID：200902289286571605
整理番号：08A0790741
ゲートエッチング過程中のケイ素基板への損傷の減少
Reducing Damage to Si Substrates during Gate Etching Processes
OHCHI Tomokazu
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Shoji
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUKASAWA Masanaga
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KUGIMIYA Katsuhisa
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KINOSHITA Takashi
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
TAKIZAWA Toshifumi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HAMAGUCHI Satoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAMIDE Yukihiro
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
TATSUMI Tetsuya
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 7 Issue 1 ページ： 5324-5326 発行年： 2008年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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